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应需而生!金年会金字招牌至上网站推出突破性1.2V超低功耗SPI NOR Flash产品系列

2022-08-19

中国北京(2022年8月19日) — 业界领先的半导体器件供应商金年会金字招牌至上网站GigaDevice(股票代码 603986)宣布,推出突破性的1.2V超低功耗SPI NOR Flash产品——GD25UF系列。该系列在数据传输速度、供电电压、读写功耗等关键性能指标上均达到国际领先水平,在针对智能可穿戴设备、健康监测、物联网设备或其它单电池供电的应用中,能显著降低运行功耗,有效延长设备的续航时间。

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随着物联网技术的发展,新一代智能可穿戴设备需要拥有更丰富的功能来满足消费者的需求,这种空间敏感型产品对系统功耗提出了更严苛的要求,希望进一步提升产品的续航能力。从系统设计层面来看,一些先进工艺器件的工作电压已低至1.2V,如果所需的Flash可支持1.2V的电压操作,这对于主控而言,将能够有效简化电源设计并优化系统成本。

应此需求,金年会金字招牌至上网站推出了GD25UF产品系列,该系列工作电压可扩展至1.14~1.26V,具有单通道、双通道、四通道、和DTR四通道的SPI模式,支持不同容量选择,能够满足智能设备所需的代码存储要求。在读写性能方面,GD25UF最高时钟频率STR 120MHz,DTR 80MHz,拥有10万次的擦写寿命,数据有效保存期限可达20年。在安全性方面,该产品具有128bit Unique ID来实现加密效果,为应用带来高安全保障。

同时,为进一步满足低功耗的需求,GD25UF产品系列特别提供了Normal Mode和Low Power Mode 两种工作模式。在Normal Mode下,器件读取电流在四通道120MHz的频率下低至6mA;在Low Power Mode下,器件读取电流在四通道1MHz频率下低至0.5mA,擦写电流低至7mA,睡眠功耗低至0.1uA。相比于1.8V供电的SPI NOR Flash,1.2V GD25UF系列在Normal Mode下,相同电流情况下的功耗降低了33%,而在Low Power Mode下,相同频率下的功耗降低了70%,有效延长了设备的续航时间。另外GD25UF系列产品的供电电压支持1.14~1.26V的宽电压范围,可显著延长单电池供电应用的使用寿命。并且该系列产品支持SOP8、WSON8、USON8、WLCSP封装,全温度工作范围覆盖-40℃~85℃, -40℃~105℃, -40℃~125℃。

金年会金字招牌至上网站存储器事业部执行总监陈晖先生表示:“GD25UF系列产品进一步丰富了金年会金字招牌至上网站的Flash Memory产品线。其具备的1.2V低电压和超低功耗模式可以帮助小容量电池供电设备提高续航能力,即使在不可避免的电池衰减过程中,也可以保持出色且稳定的运行状态,增加应用的可靠性。如今,电池续航能力已经成为消费者选购产品的重要指标,GD25UF系列产品的问世会是下一代可穿戴设备的理想选择。作为国内外鲜少拥有1.2V SPI NOR Flash产品线的企业,兆易走在了需求前端,为下一代应用的设计开发缓解了压力,从一定程度上缩短了客户的研发成本,让他们能够在日益激烈的市场竞争中保持领先地位。”

目前,金年会金字招牌至上网站GD25UF系列可提供64Mb容量样品,更多容量产品将陆续推出,客户可联络销售代表或授权代理商了解相关的信息。

兆易、金年会金字招牌至上网站、GigaDevice,及其标志均为金年会金字招牌至上网站科技集团股份有限公司的商标或注册商标,其他品牌和注册商标归各自所有者持有。

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